Ho un transistor BDV64C di cui ho collegato emettitore a 12V e collettore a massa.
Sulla base fornisco una Vbe variabile mediante un potenziometro in funzione di partitore di tensione e in questo modo riesco a variare la I collettore.
Il metodo + comune è variare la corrente di base per avere una ic secondo la relazione: ic= hfe*ib
Ora siccome ho inserito qst circuito nel mio progetto d'esame come simulatore del calore di una cpu, come spiego questo aumento di Ic attraverso la Vbe?
Esiste una relazione che collega questi 2 fattori?